
強誘電体メモリ 1Mb FeRAM「MR45V100A / MR44V100A」量産開始

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超低消費デバイスが作製できる強誘電体薄膜:スマホの駆動時間も飛躍的に延びる!?(1/2 ページ)

超低消費デバイスが作製できる強誘電体薄膜:スマホの駆動時間も飛躍的に延びる!?(1/2 ページ)

セラミックキャパシター(2) ―― 誘電体とは:中堅技術者に贈る電子部品“徹底”活用講座(46)(1/5 ページ)

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光・放射光X線・電子線を駆使して高性能強誘電体に潜むフラクタル性を解明

代表的な強誘電体材料(前編)〜圧電セラミックス系材料:福田昭のストレージ通信(62) 強誘電体メモリの再発見(6)(1/2 ページ)
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東京大ら、SnS単層を初合成し強誘電特性を実証:面内分極により強誘電性を維持

岡山大ら、強誘電体の傾斜したバンド構造を初観測:大容量FeRAMなどの開発に期待

筑波大ら,強誘電体結晶について分光で新しい知見 その他関連ニュースPICK UP話題のセミナー展示会情報転職情報

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印刷技術で、有機強誘電体メモリの3V動作を確認:プリンテッドエレクトロニクスの低電力化を加速(1/2 ページ)

新材料「二酸化ハフニウム」を使った強誘電体キャパシターの特性:福田昭のストレージ通信(72) 強誘電体メモリの再発見(16)(2/2 ページ)

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反強誘電体とは何か:福田昭のストレージ通信(80) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(1)(2/2 ページ)

強誘電体の基礎知識(後編)〜分極とは何か:福田昭のストレージ通信(59) 強誘電体メモリの再発見(3)(2/2 ページ)

代表的な強誘電体材料(前編)〜圧電セラミックス系材料:福田昭のストレージ通信(62) 強誘電体メモリの再発見(6)(1/2 ページ)

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imec、超大容量メモリを製造可能な3D NAND技術で強誘電体セルを試作

従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編):福田昭のストレージ通信(74) 強誘電体メモリの再発見(18)(1/2 ページ)

反強誘電体キャパシターから不揮発性メモリを作る方法(続き):福田昭のストレージ通信(82) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(3)(1/2 ページ)

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誘電体の比誘電率(k)は、一定とは限らない:福田昭のストレージ通信(61) 強誘電体メモリの再発見(5)(1/2 ページ)
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強誘電体メモリ研究の歴史(後編)〜1990年代以降の強誘電体メモリ:福田昭のストレージ通信(65) 強誘電体メモリの再発見(9)(1/2 ページ)

新材料で次々世代を狙う「強誘電体メモリ(FeRAM)」:福田昭のストレージ通信(156) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(15)(1/2 ページ)

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強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する(前編):福田昭のストレージ通信(78) 強誘電体メモリの再発見(22)

パナソニック、CMOS回路上での強誘電体メモリスタ形成に成功:プロセス技術

富士通とパナソニックのシステムLSI事業統合に関する“6つの疑問”:Intelとパナソニックの14nmプロセス製造契約の行方は?(2/2 ページ)

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【福田昭のセミコン業界最前線】新材料の発見で「大逆転」を狙う強誘電体メモリ - PC Watch Microscopy, Science And Technology, Column

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強誘電体の分極と外部電界:福田昭のストレージ通信(60) 強誘電体メモリの再発見(4)

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強誘電体の基礎知識(前編):福田昭のストレージ通信(58) 強誘電体メモリの再発見(2)(2/2 ページ)