
スピン注入型MRAMの不都合な真実:福田昭のストレージ通信(36) 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(14)(1/2 ページ)

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横型スピン注入素子、長距離核スピン偏極を観測:スピン流デバイスの開発に貢献

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九大、スピンデバイスの高精度な評価法を開発:物質の熱スピン注入特性を測定

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巨大磁気抵抗効果を持つ磁性多層膜を用いたスピン注入型空間光変調器の研究

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電子スピンの注入による磁化反転の原理:福田昭のストレージ通信(31) 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(9)(2/2 ページ)

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Armの不揮発性メモリIP部門、新会社「Cerfe Labs」としてスピンオフ

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東北大、円偏光で界面に誘起されるスピンを発見:光磁気メモリの開発に弾み

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スピン注入型MRAMの微細化(スケーリング):福田昭のストレージ通信(33) 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(11)(1/2 ページ)

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高速/長寿命でオンチップSRAMキャッシュの置き換えを目指す第4世代MRAM技術

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