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A Wide Band Gap Naphthalene Semiconductor for Thin-Film Transistors

図1 パワーデバイスの棲み分け 出典:広報誌「ULVAC」No.63, 実用化に向けて急加速するGaN(窒化ガリウム)パワー半導体~巨大市場を見据え世界が覇を競う次世代デバイス開発~名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センターセンター長工学博士 江川孝志教授
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物理システム工学科3年次 「 物性工学概論」 第 5 回半導体の色 (2) ー半導体の電気的性質ー

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ワイド バンド ギャップ半導体市場(Wide Band Gap Semiconductor market) に関する調査は、2023年の市場のランドスケープを理解するために実施されました。

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