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InPウェーハ上で十分に成長した狭いInGaAsP量子InPウェーハ上で十分に成長した狭いInGaAsP量子

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WO2010122821A1 - インジウムリン基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、インジウムリン基板およびエピタキシャルウエハ - Google PatentsFamily

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GaAs 【ヒ化ガリウム】 gallium arsenide / ガリウム砒素
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MDIの加工技術化合物半導体材料の個片化(SnB加工)SnB加工事例関連ページへのリンク

アンチモン化インジウム(InSb)単結晶基板アンチモン化インジウム(InSb)単結晶基板

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徳島大学の真板 准教授、新しいタンパク質の結晶化法「高分子での結晶スポンジ法」に成功
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インジウムとは一体何?用途や性質・毒性・産出国などを現役研究員が5分でわかりやすく解説!

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赤リンから黒リンを溶液法にて高収率で合成する手法を開発――水分解の光触媒として有望 大阪市立大学と堺化学工業

半導体ウェハからチップを綺麗に切り出します!~テクダイヤ技術紹介「チップ化技術」~

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女子高生と学ぶHSAB則(硬い/柔らかい酸塩基):ハードやソフトな反応性とは? HSAB理論を浅~~く捉えよう

シラン(SiH4:モノシラン)の分子式・組成式・電子式・構造式・分子量は?分子の形は?

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キヤノンが世界で初めて(※1)InPイマージョン回折素子(※2)の開発に成功

InP (リン化インジウム) 化合物半導体の世界市場 (2021年~2027年):エンドユーザー・用途・製品・地域別

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新しいものづくりがわかるメディア電子部品を小型化できる単原子層アンチモン——シリコン半導体を置き換える可能性も
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45ナノメートル以降のプロセス技術をひもとく──マーク・ボーア氏基調講演:Intel Developers Forum 北京