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反強磁性体を用いたスピントルク磁気メモリの実証 -磁気メモリの超高記録密度化へ道筋-
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磁化を持たない反強磁性絶縁体のスピン制御へ向けて 絶縁体のスピン運動量ロッキングの設計

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ランジュヴァンの反磁性公式(英語表記)Langevin's formula of diamagnetism

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図3 反強磁性金属Mn3Snの磁気光学カー効果の磁場(a)と波長(b)依存性

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反強磁性体におけるマグノン偏光の非相反性 - スピントロニクス素子へ応用期待

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物理システム工学科3年次 物性工学概論 第火曜1限 0023 教室 第 13 回 スピンエレクトロニクスと材料 [3] 磁気記録材料

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酸化ニッケルの磁壁内のスピン構造決定に世界で初めて成功—反強磁性体の微小領域磁性の理解が進展、磁気ナノデバイス開発の加速に期待—

NIMS、磁場のみで動作するトランジスタ開発:磁気力によるイオン輸送を利用(1/2 ページ)

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