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図1 パワーデバイスの棲み分け 出典:広報誌「ULVAC」No.63, 実用化に向けて急加速するGaN(窒化ガリウム)パワー半導体~巨大市場を見据え世界が覇を競う次世代デバイス開発~名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センターセンター長工学博士 江川孝志教授

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