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SanDiskが語る、半導体不揮発性メモリの開発史:福田昭のストレージ通信(42) 抵抗変化メモリの開発動向(1)(2/2 ページ)
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ハロゲン化物ペロブスカイトによる超高速な抵抗変化型メモリを開発 韓国POSTECH
不揮発性メモリを脳神経コンピューティングに活用:福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(7)(2/3 ページ)
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32Gbitの大容量抵抗変化メモリと128Gbitの大容量NANDフラッシュ
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SanDiskが語る、コンピュータのメモリ階層:福田昭のストレージ通信(43) 抵抗変化メモリの開発動向(2)(1/2 ページ)
SanDiskが語る、抵抗変化メモリの電気伝導メカニズム:福田昭のストレージ通信(48) 抵抗変化メモリの開発動向(7)(1/2 ページ)
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中央大学理工学部の竹内健教授が、機械学習で抵抗変化型メモリ(ReRAM)のエラーを予測し、メモリの寿命を13倍に向上することに成功
3D NANDの進化が目立つ、市場は回復基調との見方も:FMS 2019(2/3 ページ)
磁気抵抗メモリ(MRAM)の長所と短所:福田昭のストレージ通信(149) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(10)(1/2 ページ)
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SanDiskが語る、ストレージ・クラス・メモリの信頼性:福田昭のストレージ通信(45) 抵抗変化メモリの開発動向(4)(1/2 ページ)
SanDiskが語る、抵抗変化メモリの消費電流と速度:福田昭のストレージ通信(47) 抵抗変化メモリの開発動向(6)(2/2 ページ)
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ReRAM(抵抗変化型メモリ)では最大メモリ容量となる12Mビット品を開発
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SanDiskが語る、抵抗変化メモリの抵抗値変化:福田昭のストレージ通信(51) 抵抗変化メモリの開発動向(10)(1/2 ページ)
東北大学ら、次世代相変化メモリの新材料を開発:低電力で高速にデータ書き換え
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不揮発性メモリ FRAM(Ferroelectric RAM:強誘電体メモリ)
電子計算機の黎明期に女性がワイヤーを手編みして生産していた記憶媒体「磁気コアメモリ」
次世代メモリのPCM、「Optane」以外の動向は?:コスト競争力をどう実現するのか(1/2 ページ)
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次世代メモリの本格量産を可能にする新PVD装置:アプライド マテリアルズ
不揮発性メモリ編・急速に力をつけるSamsung Electronics
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SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセル選択スイッチ技術(後編):福田昭のストレージ通信(54) 抵抗変化メモリの開発動向(13)(1/2 ページ)