Images of 抵抗変化型メモリ

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10KΩの可変抵抗器を、100KΩの変化にしたい view page

次世代メモリの本命は何なのか? view page

SanDiskが語る、半導体不揮発性メモリの開発史：福田昭のストレージ通信（42） 抵抗変化メモリの開発動向（1）（2/2 ページ） view page

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ハロゲン化物ペロブスカイトによる超高速な抵抗変化型メモリを開発　韓国POSTECH view page

不揮発性メモリを脳神経コンピューティングに活用：福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー（7）（2/3 ページ） view page

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32Gbitの大容量抵抗変化メモリと128Gbitの大容量NANDフラッシュ view page

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室温において乾電池程度の電圧で電気的性質と結晶構造をスイッチ view page

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SanDiskが語る、コンピュータのメモリ階層：福田昭のストレージ通信（43） 抵抗変化メモリの開発動向（2）（1/2 ページ） view page

SanDiskが語る、抵抗変化メモリの電気伝導メカニズム：福田昭のストレージ通信（48） 抵抗変化メモリの開発動向（7）（1/2 ページ） view page

磁場印加で絶縁体から金属へ相転移するミクロなメカニズムを解明 view page

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中央大学理工学部の竹内健教授が、機械学習で抵抗変化型メモリ（ReRAM）のエラーを予測し、メモリの寿命を13倍に向上することに成功 view page

3D NANDの進化が目立つ、市場は回復基調との見方も：FMS 2019（2/3 ページ） view page

磁気抵抗メモリ（MRAM）の長所と短所：福田昭のストレージ通信（149） 半導体メモリの技術動向を総ざらい（10）（1/2 ページ） view page

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SanDiskが語る、ストレージ・クラス・メモリの信頼性：福田昭のストレージ通信（45） 抵抗変化メモリの開発動向（4）（1/2 ページ） view page

SanDiskが語る、抵抗変化メモリの消費電流と速度：福田昭のストレージ通信（47） 抵抗変化メモリの開発動向（6）（2/2 ページ） view page

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抵抗の適切な選定方法 view page

ReRAM（抵抗変化型メモリ）では最大メモリ容量となる12Mビット品を開発 view page

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脳を半導体に「コピー＆ペースト」するテクノロジーが発表される view page

新たな原理による強誘電抵抗変化メモリーを開発 view page

ＩＧＺＯと不揮発性メモリを三次元集積した新デバイスの開発に成功 view page

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SanDiskが語る、抵抗変化メモリの抵抗値変化：福田昭のストレージ通信（51） 抵抗変化メモリの開発動向（10）（1/2 ページ） view page

マンガン系合金ナノ薄膜を用いたＭＲＡＭ記憶素子の開発に成功 view page

東北大学ら、次世代相変化メモリの新材料を開発：低電力で高速にデータ書き換え view page

NAIL DE DANCE ネイルデダンス スポンジバッファー　No．2　220／280view page

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不揮発性メモリ FRAM(Ferroelectric RAM：強誘電体メモリ) view page

電子計算機の黎明期に女性がワイヤーを手編みして生産していた記憶媒体「磁気コアメモリ」 view page

次世代メモリのPCM、「Optane」以外の動向は？：コスト競争力をどう実現するのか（1/2 ページ） view page

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次世代メモリの本格量産を可能にする新PVD装置：アプライド マテリアルズ view page

不揮発性メモリ編・急速に力をつけるSamsung Electronics view page

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SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセル選択スイッチ技術（後編）：福田昭のストレージ通信（54） 抵抗変化メモリの開発動向（13）（1/2 ページ） view page

Semiconductor 初心者のための半導体入門 view page