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強誘電体メモリ - Ferroelectric RAM

エコノミライ研究所のブログ[再掲]【ＮＥＤＯ実用化ドキュメント028】次世代強誘電体メモリ（FeRAM）研究開発「次世代大容量メモリ」からこぼれ落ちた、強誘電体メモリの過去と現在第一原理計算による単鎖イノケイ酸塩Bi2SiO5の強誘電性の解析印刷技術で、有機強誘電体メモリの3V動作を確認：プリンテッドエレクトロニクスの低電力化を加速（1/2 ページ）新材料「二酸化ハフニウム」を使った強誘電体キャパシターの特性：福田昭のストレージ通信（72） 強誘電体メモリの再発見（16）（2/2 ページ）反強誘電体とは何か：福田昭のストレージ通信（80） 反強誘電体が起爆するDRAM革命（1）（2/2 ページ）強誘電体の基礎知識（後編）〜分極とは何か：福田昭のストレージ通信（59） 強誘電体メモリの再発見（3）（2/2 ページ）代表的な強誘電体材料（前編）〜圧電セラミックス系材料：福田昭のストレージ通信（62） 強誘電体メモリの再発見（6）（1/2 ページ）imec、超大容量メモリを製造可能な3D NAND技術で強誘電体セルを試作従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発（前編）：福田昭のストレージ通信（74） 強誘電体メモリの再発見（18）（1/2 ページ）反強誘電体キャパシターから不揮発性メモリを作る方法（続き）：福田昭のストレージ通信（82） 反強誘電体が起爆するDRAM革命（3）（1/2 ページ）「次世代大容量メモリ」からこぼれ落ちた、強誘電体メモリの過去と現在「次世代大容量メモリ」からこぼれ落ちた、強誘電体メモリの過去と現在誘電体の比誘電率（k）は、一定とは限らない：福田昭のストレージ通信（61）　強誘電体メモリの再発見（5）（1/2 ページ）東大など、低動作電圧かつ長寿命の酸化ハフニウム系強誘電体メモリを開発強誘電体メモリ研究の歴史（後編）〜1990年代以降の強誘電体メモリ：福田昭のストレージ通信（65） 強誘電体メモリの再発見（9）（1/2 ページ）新材料で次々世代を狙う「強誘電体メモリ（FeRAM）」：福田昭のストレージ通信（156） 半導体メモリの技術動向を総ざらい（15）（1/2 ページ）強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する（前編）：福田昭のストレージ通信（78） 強誘電体メモリの再発見（22）パナソニック、CMOS回路上での強誘電体メモリスタ形成に成功：プロセス技術富士通とパナソニックのシステムLSI事業統合に関する“6つの疑問”：Intelとパナソニックの14nmプロセス製造契約の行方は？（2/2 ページ）【福田昭のセミコン業界最前線】新材料の発見で「大逆転」を狙う強誘電体メモリ - PC Watch Microscopy, Science And Technology, ColumnRAM Projectラピス、12月より1Mビット強誘電体メモリ(FeRAM)の量産を開始強 誘電 体 メモリ強誘電体の分極と外部電界：福田昭のストレージ通信（60） 強誘電体メモリの再発見（4）ペコペコ反転できる「おわん分子」で強誘電体メモリをつくるペコペコ反転できる「おわん分子」で強誘電体メモリをつくる強誘電体の基礎知識（前編）：福田昭のストレージ通信（58） 強誘電体メモリの再発見（2）（2/2 ページ）Semiconductor 初心者のための半導体入門次世代不揮発性メモリー（中）強誘電体メモリ 1Mb FeRAM「MR45V100A / MR44V100A」量産開始超低消費デバイスが作製できる強誘電体薄膜：スマホの駆動時間も飛躍的に延びる!?（1/2 ページ）超低消費デバイスが作製できる強誘電体薄膜：スマホの駆動時間も飛躍的に延びる!?（1/2 ページ）セラミックキャパシター（2） ―― 誘電体とは：中堅技術者に贈る電子部品“徹底”活用講座（46）（1/5 ページ）光・放射光X線・電子線を駆使して高性能強誘電体に潜むフラクタル性を解明プリンテッドエレクトロニクス対応PVDF系強誘電性材料のご案内
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  • メモリ
    メモリ
    memory
    0
  • 誘電
    ゆうでん
    induction / induced electricity
    0
  • 強
    きょう
    a little over / a little more than
    0
  • 体
    からだ
    body
    0

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