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窒化インジウム - Indium nitride

水中でインジウム金属が触媒機能を発現酸窒化物で初めて強誘電体的な挙動を観察希少元素を使わない赤く光る窒化物半導体を発見：発光デバイスや太陽電池への応用期待窒化処理「５G」を狙う、熱伝導性５倍の窒化アルミ充てん剤株式会社 イチネン TASCO欧州イノベーションインサイト: 第67回微生物と半導体のハイブリッドメリーネコりん化亜鉛（2g×250袋）赤リンから黒リンを溶液法にて高収率で合成する手法を開発――水分解の光触媒として有望　大阪市立大学と堺化学工業半導体ウェハからチップを綺麗に切り出します！～テクダイヤ技術紹介「チップ化技術」～女子高生と学ぶHSAB則(硬い/柔らかい酸塩基)：ハードやソフトな反応性とは？ HSAB理論を浅～～く捉えよう細胞壁リグニンの分子構造を変える新しい方法を開発シラン（SiH4：モノシラン）の分子式・組成式・電子式・構造式・分子量は？分子の形は？キヤノンが世界で初めて（※1）InPイマージョン回折素子（※2）の開発に成功InP (リン化インジウム) 化合物半導体の世界市場 (2021年～2027年)：エンドユーザー・用途・製品・地域別性質および化学反応自然界における存在工業的用途主な化合物リン化インジウム（InP）ウエハーの世界市場 2022-2026InPウェーハ上で十分に成長した狭いInGaAsP量子InPウェーハ上で十分に成長した狭いInGaAsP量子GTOX-Fe2O3-SrO-O2.pngインジウムスズ酸化物製目視窓 ITO-320-20OHM酸化インジウム(III), 99.9% Indium(III) Oxide, 99.9%Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005WO2010122821A1 - インジウムリン基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、インジウムリン基板およびエピタキシャルウエハ - Google PatentsFamilyリン化インジウムウェーハGe Optical Plates Indium Phosphide Wafer Excellent Semiconductor MaterialTriethylsilane (TES)f:id:tatata_ichi:20210130223201p:plainレアメタルの基礎シリーズ-画像0803ゼヴァリン®インジウム（111In）静注用セットf:id:TodaiGCOE:20110411204249g:image徳島大学の真板 准教授、新しいタンパク質の結晶化法「高分子での結晶スポンジ法」に成功Blog_2020-03-24_04新しいものづくりがわかるメディア電子部品を小型化できる単原子層アンチモン——シリコン半導体を置き換える可能性も45ナノメートル以降のプロセス技術をひもとく──マーク・ボーア氏基調講演：Intel Developers Forum 北京Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
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  • インジウム
    インジウム
    indium (In)
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水中でインジウム金属が触媒機能を発現

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deIndiumnitrid
enIndium nitride
esNitruro de indio
frNitrure d'indium
ruНитрид индия
ja窒化インジウム

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