Category:半導体材料
ナローギャップ半導体
Narrow-gap semiconductor二ケイ化タングステン
Tungsten disilicide
ヒ化アルミニウム
Aluminium arsenide
ヒ化ホウ素
Boron arsenide
ヒ化カドミウム
Cadmium arsenide
酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide
酸化銅(I)
Copper(I) oxide
セレン化インジウム(III)
Indium(III) selenide
セレン化ビスマス(III)
Bismuth selenide
チタン酸ストロンチウム
Strontium titanateテルル化インジウム(III)
Indium(III) telluride
硫化スズ(IV)
Tin(IV) sulfide
硫化モリブデン(IV)
Molybdenum disulfide
ゲイナス
▲1 trends
アンチモン化アルミニウム
Aluminium antimonide
ヒ化アルミニウムガリウム
Aluminium gallium arsenideリン化ホウ素
Boron phosphide
セレン化銅インジウムガリウム
Copper indium gallium selenide
ダイヤモンド半導体
アンチモン化ガリウム
Gallium antimonide
窒化インジウムガリウム
Indium gallium nitride
テルル化カドミウム水銀
Mercury cadmium telluride
硫化カドミウム
Cadmium sulfide
II-VI族半導体
II-VI semiconductor compound
III-V族半導体
テルル化水銀
Mercury tellurideヒ化インジウムガリウム
Indium gallium arsenide
