Category:半導体材料
ガリウム
Gallium
チタン酸ストロンチウム
Strontium titanate
硫化カドミウム
Cadmium sulfide
アンチモン化ガリウム
Gallium antimonide二ケイ化タングステン
Tungsten disilicide
ヒ化カドミウム
Cadmium arsenide
酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide
酸化銅(I)
Copper(I) oxide
セレン化インジウム(III)
Indium(III) selenide
セレン化ビスマス(III)
Bismuth selenideテルル化インジウム(III)
Indium(III) telluride
テルル化カドミウム水銀
Mercury cadmium telluride
ヒ化アルミニウム
Aluminium arsenide
硫化スズ(IV)
Tin(IV) sulfide
硫化モリブデン(IV)
Molybdenum disulfide
リン化ホウ素
Boron phosphideヒ化ホウ素
Boron arsenide
ゲイナス
▲1 trends
ナローギャップ半導体
Narrow-gap semiconductorテルル化水銀
Mercury telluride
セレン化銅インジウムガリウム
Copper indium gallium selenide
有機半導体
Organic semiconductorアンチモン化アルミニウム
Aluminium antimonide
二ケイ化モリブデン
Molybdenum disilicide
セレン化亜鉛
Zinc selenide
ダイヤモンド半導体
II-VI族半導体
II-VI semiconductor compound
