Category:半導体材料
二ケイ化タングステン
Tungsten disilicide
II-VI族半導体
II-VI semiconductor compound
アンチモン化ガリウム
Gallium antimonide
ヒ化カドミウム
Cadmium arsenide
酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide
酸化銅(I)
Copper(I) oxide
セレン化インジウム(III)
Indium(III) selenide
セレン化ビスマス(III)
Bismuth selenideテルル化インジウム(III)
Indium(III) telluride
硫化スズ(IV)
Tin(IV) sulfide
硫化モリブデン(IV)
Molybdenum disulfide
ゲイナス
▲1 trends
ヒ化ホウ素
Boron arsenide
ナローギャップ半導体
Narrow-gap semiconductor
セレン化銅インジウムガリウム
Copper indium gallium selenideリン化ホウ素
Boron phosphideアンチモン化アルミニウム
Aluminium antimonide
テルル化水銀
Mercury tellurideテルル化カドミウム水銀
Mercury cadmium telluride
窒化インジウムガリウム
Indium gallium nitride
ヒ化アルミニウム
Aluminium arsenide
ヒ化アルミニウムガリウム
Aluminium gallium arsenide
セレン化亜鉛
Zinc selenide
二ケイ化モリブデン
Molybdenum disilicideヒ化インジウムガリウム
Indium gallium arsenide
硫化カドミウム
Cadmium sulfide
III-V族半導体
