Category:半導体材料
ゲルマニウム
Germanium
ダイヤモンド半導体
硫化亜鉛
Zinc sulfide
硫化カドミウム
Cadmium sulfide
II-VI族半導体
II-VI semiconductor compound
ヒ化アルミニウムガリウム
Aluminium gallium arsenide
有機半導体
Organic semiconductor
リン化インジウム
Indium phosphide
テルル化カドミウム水銀
Mercury cadmium telluride
アンチモン化ガリウム
Gallium antimonide
アモルファスシリコン
Amorphous silicon
ヒ化カドミウム
Cadmium arsenide
酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide
酸化銅(I)
Copper(I) oxideセレン化インジウム(III)
Indium(III) selenide
セレン化ビスマス(III)
Bismuth selenideテルル化インジウム(III)
Indium(III) telluride
硫化スズ(IV)
Tin(IV) sulfide
硫化モリブデン(IV)
Molybdenum disulfide
ゲイナス
▲1 trends
ヒ化アルミニウム
Aluminium arsenide
ナローギャップ半導体
Narrow-gap semiconductor
セレン化銅インジウムガリウム
Copper indium gallium selenide
ヒ化ホウ素
Boron arsenideリン化ホウ素
Boron phosphide
III-V族半導体
アンチモン化アルミニウム
Aluminium antimonide