Category:半導体材料
IGZO
Indium gallium zinc oxide
酸化亜鉛
Zinc oxide
リン化インジウム
Indium phosphide
ヒ化インジウムガリウム
Indium gallium arsenide
窒化インジウムガリウム
Indium gallium nitride
II-VI族半導体
II-VI semiconductor compound
ヒ化アルミニウムガリウム
Aluminium gallium arsenide
ナローギャップ半導体
Narrow-gap semiconductor
テルル化水銀
Mercury telluride
アンチモン化ガリウム
Gallium antimonideテルル化カドミウム水銀
Mercury cadmium telluride
ヒ化アルミニウム
Aluminium arsenide
ヒ化カドミウム
Cadmium arsenide
酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide
酸化銅(I)
Copper(I) oxideセレン化インジウム(III)
Indium(III) selenide
セレン化ビスマス(III)
Bismuth selenideテルル化インジウム(III)
Indium(III) telluride
硫化スズ(IV)
Tin(IV) sulfide
硫化モリブデン(IV)
Molybdenum disulfide
リン化ホウ素
Boron phosphide
ゲイナス
▲1 trends
硫化亜鉛
Zinc sulfideヒ化ホウ素
Boron arsenideセレン化銅インジウムガリウム
Copper indium gallium selenideアンチモン化アルミニウム
Aluminium antimonide
窒化ガリウム
Gallium nitride