Category:半導体材料
テルル化水銀
Mercury telluride
ナローギャップ半導体
Narrow-gap semiconductor
アンチモン化ガリウム
Gallium antimonide
ヒ化ホウ素
Boron arsenide
II-VI族半導体
II-VI semiconductor compound
ヒ化カドミウム
Cadmium arsenide
酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide
酸化銅(I)
Copper(I) oxide
セレン化インジウム(III)
Indium(III) selenide
セレン化ビスマス(III)
Bismuth selenideテルル化インジウム(III)
Indium(III) telluride
硫化スズ(IV)
Tin(IV) sulfide
硫化モリブデン(IV)
Molybdenum disulfideリン化ホウ素
Boron phosphide
ゲイナス
▲1 trendsアンチモン化アルミニウム
Aluminium antimonide二ケイ化タングステン
Tungsten disilicide
ヒ化アルミニウム
Aluminium arsenide
セレン化銅インジウムガリウム
Copper indium gallium selenide
二ケイ化モリブデン
Molybdenum disilicide
硫化カドミウム
Cadmium sulfide
アモルファスシリコン
Amorphous silicon
チタン酸ストロンチウム
Strontium titanateヒ化インジウムガリウム
Indium gallium arsenideテルル化カドミウム水銀
Mercury cadmium telluride
ヒ化アルミニウムガリウム
Aluminium gallium arsenide
窒化インジウムガリウム
Indium gallium nitride
