Category:半導体材料
ガリウム
Gallium
ゲルマニウム
Germanium
チタン酸ストロンチウム
Strontium titanate
ヒ化ガリウム
Gallium arsenide
テルル化カドミウム
Cadmium telluride
有機半導体
Organic semiconductor
テルル化カドミウム水銀
Mercury cadmium tellurideテルル化水銀
Mercury telluride
ナローギャップ半導体
Narrow-gap semiconductor
ヒ化アルミニウム
Aluminium arsenideヒ化カドミウム
Cadmium arsenide
酸化亜鉛
Zinc oxide
酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide
酸化銅(I)
Copper(I) oxide
セレン化インジウム(III)
Indium(III) selenide
セレン化ビスマス(III)
Bismuth selenideテルル化インジウム(III)
Indium(III) telluride
硫化スズ(IV)
Tin(IV) sulfide
硫化モリブデン(IV)
Molybdenum disulfide
ゲイナス
▲1 trends
セレン化銅インジウムガリウム
Copper indium gallium selenide
II-VI族半導体
II-VI semiconductor compound
ダイヤモンド半導体
リン化ホウ素
Boron phosphide
アンチモン化アルミニウム
Aluminium antimonideヒ化ホウ素
Boron arsenide
二ケイ化モリブデン
Molybdenum disilicide