Category:半導体材料
ダイヤモンド半導体
テルル化カドミウム
Cadmium telluride
有機半導体
Organic semiconductor
リン化インジウム
Indium phosphide
ヒ化アルミニウムガリウム
Aluminium gallium arsenide
ヒ化アルミニウム
Aluminium arsenide
窒化インジウムガリウム
Indium gallium nitrideヒ化カドミウム
Cadmium arsenide
酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide
酸化銅(I)
Copper(I) oxide
セレン化ビスマス(III)
Bismuth selenide
チタン酸ストロンチウム
Strontium titanate
硫化モリブデン(IV)
Molybdenum disulfide
ゲイナス
▲1 trends
アンチモン化アルミニウム
Aluminium antimonide
テルル化水銀
Mercury telluride
セレン化銅インジウムガリウム
Copper indium gallium selenide
ナローギャップ半導体
Narrow-gap semiconductor
セレン化亜鉛
Zinc selenide
リン化ホウ素
Boron phosphideテルル化カドミウム水銀
Mercury cadmium telluride二ケイ化タングステン
Tungsten disilicideヒ化インジウムガリウム
Indium gallium arsenideアンチモン化ガリウム
Gallium antimonide
二ケイ化モリブデン
Molybdenum disilicide
II-VI族半導体
II-VI semiconductor compound
III-V族半導体
