Category:半導体材料
炭化ケイ素
Silicon carbide
IGZO
Indium gallium zinc oxide
ケイ素
Silicon
酸化亜鉛
Zinc oxide
硫化亜鉛
Zinc sulfide
アモルファスシリコン
Amorphous silicon
有機半導体
Organic semiconductor
ヒ化インジウムガリウム
Indium gallium arsenide
二ケイ化モリブデン
Molybdenum disilicide
II-VI族半導体
II-VI semiconductor compound
窒化アルミニウム
Aluminium nitride
硫化カドミウム
Cadmium sulfide
リン化インジウム
Indium phosphide二ケイ化タングステン
Tungsten disilicide
ヒ化アルミニウム
Aluminium arsenideセレン化銅インジウムガリウム
Copper indium gallium selenide
ヒ化ホウ素
Boron arsenide
ヒ化アルミニウムガリウム
Aluminium gallium arsenide
テルル化水銀
Mercury telluride
ヒ化カドミウム
Cadmium arsenide
酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide
酸化銅(I)
Copper(I) oxideセレン化インジウム(III)
Indium(III) selenide
セレン化ビスマス(III)
Bismuth selenideテルル化インジウム(III)
Indium(III) tellurideテルル化カドミウム水銀
Mercury cadmium telluride
硫化スズ(IV)
Tin(IV) sulfide
