Category:半導体材料
炭化ケイ素
Silicon carbide
ゲルマニウム
Germanium
リン化インジウム
Indium phosphide
ケイ素
Silicon
硫化亜鉛
Zinc sulfide
ダイヤモンド半導体
有機半導体
Organic semiconductor
アンチモン化ガリウム
Gallium antimonide二ケイ化タングステン
Tungsten disilicide
ヒ化カドミウム
Cadmium arsenide
酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide
酸化銅(I)
Copper(I) oxideセレン化インジウム(III)
Indium(III) selenide
セレン化ビスマス(III)
Bismuth selenideテルル化インジウム(III)
Indium(III) telluride
テルル化カドミウム水銀
Mercury cadmium telluride
硫化スズ(IV)
Tin(IV) sulfide
硫化モリブデン(IV)
Molybdenum disulfide
ゲイナス
▲1 trends
ヒ化インジウムガリウム
Indium gallium arsenide
アモルファスシリコン
Amorphous silicon
ヒ化アルミニウムガリウム
Aluminium gallium arsenide
III-V族半導体
ナローギャップ半導体
Narrow-gap semiconductor
窒化アルミニウム
Aluminium nitrideセレン化銅インジウムガリウム
Copper indium gallium selenide
ヒ化ホウ素
Boron arsenide
