Category:半導体材料
ガリウム
Gallium
窒化ガリウム
Gallium nitride
酸化亜鉛
Zinc oxide
ヒ化ガリウム
Gallium arsenide
窒化アルミニウム
Aluminium nitride
ケイ素
Silicon
有機半導体
Organic semiconductor
窒化インジウムガリウム
Indium gallium nitride
セレン化亜鉛
Zinc selenide
ヒ化アルミニウムガリウム
Aluminium gallium arsenide
アモルファスシリコン
Amorphous silicon
ヒ化アルミニウム
Aluminium arsenide
ダイヤモンド半導体
硫化カドミウム
Cadmium sulfide
テルル化カドミウム
Cadmium tellurideヒ化カドミウム
Cadmium arsenide
酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide
酸化銅(I)
Copper(I) oxide
セレン化インジウム(III)
Indium(III) selenide
セレン化ビスマス(III)
Bismuth selenideテルル化インジウム(III)
Indium(III) telluride二ケイ化タングステン
Tungsten disilicide
II-VI族半導体
II-VI semiconductor compound
硫化スズ(IV)
Tin(IV) sulfide
硫化モリブデン(IV)
Molybdenum disulfide
ゲイナス
▲1 trends
二ケイ化モリブデン
Molybdenum disilicide
