Category:半導体材料
IGZO
Indium gallium zinc oxide
窒化ガリウム
Gallium nitride
ダイヤモンド半導体
ナローギャップ半導体
Narrow-gap semiconductor
ヒ化アルミニウム
Aluminium arsenide
アンチモン化ガリウム
Gallium antimonide
II-VI族半導体
II-VI semiconductor compound
ヒ化カドミウム
Cadmium arsenide
酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide
酸化銅(I)
Copper(I) oxide
セレン化インジウム(III)
Indium(III) selenide
セレン化ビスマス(III)
Bismuth selenideテルル化インジウム(III)
Indium(III) telluride
硫化スズ(IV)
Tin(IV) sulfide
硫化モリブデン(IV)
Molybdenum disulfide
リン化ホウ素
Boron phosphide
ゲイナス
▲1 trendsヒ化ホウ素
Boron arsenide
III-V族半導体
セレン化銅インジウムガリウム
Copper indium gallium selenideアンチモン化アルミニウム
Aluminium antimonide
テルル化水銀
Mercury tellurideヒ化インジウムガリウム
Indium gallium arsenideテルル化カドミウム水銀
Mercury cadmium telluride
セレン化亜鉛
Zinc selenide
チタン酸ストロンチウム
Strontium titanate二ケイ化タングステン
Tungsten disilicide
