Category:半導体材料
IGZO
Indium gallium zinc oxide酸化亜鉛
Zinc oxide窒化アルミニウム
Aluminium nitrideリン化インジウム
Indium phosphide窒化ガリウム
Gallium nitride硫化亜鉛
Zinc sulfideケイ素
Silicon窒化インジウムガリウム
Indium gallium nitrideヒ化インジウムガリウム
Indium gallium arsenideII-VI族半導体
II-VI semiconductor compoundヒ化アルミニウムガリウム
Aluminium gallium arsenideナローギャップ半導体
Narrow-gap semiconductorヒ化アルミニウム
Aluminium arsenideチタン酸ストロンチウム
Strontium titanateテルル化水銀
Mercury tellurideIII-V族半導体
ヒ化カドミウム
Cadmium arsenide酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide酸化銅(I)
Copper(I) oxideセレン化インジウム(III)
Indium(III) selenideセレン化ビスマス(III)
Bismuth selenideテルル化インジウム(III)
Indium(III) telluride硫化スズ(IV)
Tin(IV) sulfide硫化モリブデン(IV)
Molybdenum disulfideリン化ホウ素
Boron phosphideアンチモン化ガリウム
Gallium antimonideテルル化カドミウム水銀
Mercury cadmium telluride