Category:半導体材料
ガリウム
Gallium炭化ケイ素
Silicon carbideケイ素
Siliconアモルファスシリコン
Amorphous siliconヒ化ガリウム
Gallium arsenideゲルマニウム
Germanium硫化カドミウム
Cadmium sulfideテルル化カドミウム
Cadmium tellurideチタン酸ストロンチウム
Strontium titanateヒ化インジウムガリウム
Indium gallium arsenideテルル化カドミウム水銀
Mercury cadmium telluride有機半導体
Organic semiconductorセレン化銅インジウムガリウム
Copper indium gallium selenideヒ化ホウ素
Boron arsenide二ケイ化タングステン
Tungsten disilicideテルル化水銀
Mercury telluride窒化インジウムガリウム
Indium gallium nitrideヒ化カドミウム
Cadmium arsenide酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide酸化銅(I)
Copper(I) oxideセレン化インジウム(III)
Indium(III) selenideセレン化ビスマス(III)
Bismuth selenideテルル化インジウム(III)
Indium(III) telluride硫化スズ(IV)
Tin(IV) sulfide硫化モリブデン(IV)
Molybdenum disulfideリン化インジウム
Indium phosphideリン化ホウ素
Boron phosphide