Category:半導体材料
炭化ケイ素
Silicon carbideIGZO
Indium gallium zinc oxideケイ素
Silicon酸化亜鉛
Zinc oxide硫化亜鉛
Zinc sulfideアモルファスシリコン
Amorphous silicon有機半導体
Organic semiconductorヒ化インジウムガリウム
Indium gallium arsenide二ケイ化モリブデン
Molybdenum disilicideII-VI族半導体
II-VI semiconductor compound窒化アルミニウム
Aluminium nitride硫化カドミウム
Cadmium sulfideリン化インジウム
Indium phosphide二ケイ化タングステン
Tungsten disilicideヒ化アルミニウム
Aluminium arsenideセレン化銅インジウムガリウム
Copper indium gallium selenideヒ化ホウ素
Boron arsenideヒ化アルミニウムガリウム
Aluminium gallium arsenideテルル化水銀
Mercury tellurideヒ化カドミウム
Cadmium arsenide酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide酸化銅(I)
Copper(I) oxideセレン化インジウム(III)
Indium(III) selenideセレン化ビスマス(III)
Bismuth selenideテルル化インジウム(III)
Indium(III) tellurideテルル化カドミウム水銀
Mercury cadmium telluride硫化スズ(IV)
Tin(IV) sulfide