Category:半導体材料
硫化亜鉛
Zinc sulfide▲1 trends
IGZO
Indium gallium zinc oxideガリウム
Gallium
硫化カドミウム
Cadmium sulfide
二ケイ化モリブデン
Molybdenum disilicide
テルル化カドミウム
Cadmium telluride
ヒ化インジウムガリウム
Indium gallium arsenide
テルル化カドミウム水銀
Mercury cadmium telluride
ゲルマニウム
Germaniumヒ化カドミウム
Cadmium arsenide
酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide
酸化銅(I)
Copper(I) oxide
セレン化インジウム(III)
Indium(III) selenide
セレン化ビスマス(III)
Bismuth selenideテルル化インジウム(III)
Indium(III) telluride二ケイ化タングステン
Tungsten disilicide
硫化スズ(IV)
Tin(IV) sulfide
硫化モリブデン(IV)
Molybdenum disulfideセレン化銅インジウムガリウム
Copper indium gallium selenide
ゲイナス
▲1 trends
II-VI族半導体
II-VI semiconductor compound
ナローギャップ半導体
Narrow-gap semiconductor
ヒ化ホウ素
Boron arsenide
アンチモン化アルミニウム
Aluminium antimonideリン化ホウ素
Boron phosphideテルル化水銀
Mercury telluride
セレン化亜鉛
Zinc selenide
