Category:半導体材料
ダイヤモンド半導体
硫化亜鉛
Zinc sulfide
ヒ化アルミニウムガリウム
Aluminium gallium arsenide
硫化カドミウム
Cadmium sulfide
II-VI族半導体
II-VI semiconductor compound
テルル化カドミウム水銀
Mercury cadmium telluride
ヒ化カドミウム
Cadmium arsenide
酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide
酸化銅(I)
Copper(I) oxide
セレン化インジウム(III)
Indium(III) selenide
セレン化ビスマス(III)
Bismuth selenideテルル化インジウム(III)
Indium(III) telluride
硫化スズ(IV)
Tin(IV) sulfide
硫化モリブデン(IV)
Molybdenum disulfide
ゲイナス
▲1 trends
二ケイ化モリブデン
Molybdenum disilicide
有機半導体
Organic semiconductor
ヒ化アルミニウム
Aluminium arsenide
アンチモン化ガリウム
Gallium antimonide
ヒ化インジウムガリウム
Indium gallium arsenide
ナローギャップ半導体
Narrow-gap semiconductorセレン化銅インジウムガリウム
Copper indium gallium selenide
ヒ化ホウ素
Boron arsenideリン化ホウ素
Boron phosphideアンチモン化アルミニウム
Aluminium antimonideテルル化水銀
Mercury telluride二ケイ化タングステン
Tungsten disilicide
