Category:半導体材料
ダイヤモンド半導体
セレン化亜鉛
Zinc selenide
ヒ化アルミニウム
Aluminium arsenide
アンチモン化ガリウム
Gallium antimonide
セレン化銅インジウムガリウム
Copper indium gallium selenide
ナローギャップ半導体
Narrow-gap semiconductor
二ケイ化モリブデン
Molybdenum disilicideヒ化インジウムガリウム
Indium gallium arsenide
ヒ化ホウ素
Boron arsenide
ヒ化カドミウム
Cadmium arsenide
酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide
酸化銅(I)
Copper(I) oxide
セレン化インジウム(III)
Indium(III) selenide
セレン化ビスマス(III)
Bismuth selenideテルル化インジウム(III)
Indium(III) telluride
硫化スズ(IV)
Tin(IV) sulfide
硫化モリブデン(IV)
Molybdenum disulfideリン化ホウ素
Boron phosphideアンチモン化アルミニウム
Aluminium antimonide
ゲイナス
▲1 trends
テルル化水銀
Mercury telluride二ケイ化タングステン
Tungsten disilicide
ヒ化アルミニウムガリウム
Aluminium gallium arsenideテルル化カドミウム水銀
Mercury cadmium telluride
窒化インジウムガリウム
Indium gallium nitride
II-VI族半導体
II-VI semiconductor compound
IGZO
Indium gallium zinc oxide
