Category:半導体材料
ガリウム
Gallium
ダイヤモンド半導体
テルル化カドミウム
Cadmium telluride
テルル化水銀
Mercury tellurideテルル化カドミウム水銀
Mercury cadmium telluride
リン化インジウム
Indium phosphide
ヒ化ホウ素
Boron arsenide
II-VI族半導体
II-VI semiconductor compound
セレン化銅インジウムガリウム
Copper indium gallium selenide
アンチモン化アルミニウム
Aluminium antimonideヒ化カドミウム
Cadmium arsenide
酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide
酸化銅(I)
Copper(I) oxideセレン化インジウム(III)
Indium(III) selenide
セレン化ビスマス(III)
Bismuth selenideテルル化インジウム(III)
Indium(III) telluride
硫化スズ(IV)
Tin(IV) sulfide
硫化モリブデン(IV)
Molybdenum disulfide
ナローギャップ半導体
Narrow-gap semiconductor
ゲイナス
▲1 trends二ケイ化タングステン
Tungsten disilicide
ヒ化アルミニウム
Aluminium arsenideリン化ホウ素
Boron phosphide
IGZO
Indium gallium zinc oxide
窒化アルミニウム
Aluminium nitride
二ケイ化モリブデン
Molybdenum disilicide
アモルファスシリコン
Amorphous silicon
