Category:半導体材料
IGZO
Indium gallium zinc oxide
炭化ケイ素
Silicon carbide
酸化亜鉛
Zinc oxide
硫化亜鉛
Zinc sulfide
アモルファスシリコン
Amorphous silicon
有機半導体
Organic semiconductor
二ケイ化モリブデン
Molybdenum disilicide
II-VI族半導体
II-VI semiconductor compound
ヒ化インジウムガリウム
Indium gallium arsenide
ケイ素
Silicon
硫化カドミウム
Cadmium sulfide
リン化インジウム
Indium phosphide二ケイ化タングステン
Tungsten disilicide
ヒ化アルミニウム
Aluminium arsenideセレン化銅インジウムガリウム
Copper indium gallium selenide
ヒ化ホウ素
Boron arsenide
ヒ化アルミニウムガリウム
Aluminium gallium arsenide
テルル化水銀
Mercury telluride
窒化アルミニウム
Aluminium nitride
ヒ化カドミウム
Cadmium arsenide
酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide
酸化銅(I)
Copper(I) oxideセレン化インジウム(III)
Indium(III) selenide
セレン化ビスマス(III)
Bismuth selenideテルル化インジウム(III)
Indium(III) telluride
硫化スズ(IV)
Tin(IV) sulfide
硫化モリブデン(IV)
Molybdenum disulfide
