Similar to II-VI族半導体

アモルファスシリコン
Amorphous silicon
アンチモン化アルミニウム
Aluminium antimonide
アンチモン化ガリウム
Gallium antimonide
IGZO
Indium gallium zinc oxideガリウム
Gallium
ケイ素
Silicon
ゲイナス
▲1 trends
ゲルマニウム
Germanium
酸化亜鉛
Zinc oxide
酸化インジウム(III)
Indium(III) oxide酸化スズ(IV)
Tin(IV) oxide
酸化銅(I)
Copper(I) oxide
III-V族半導体

セレン化亜鉛
Zinc selenide
セレン化銅インジウムガリウム
Copper indium gallium selenide
セレン化ビスマス(III)
Bismuth selenide
ダイヤモンド半導体

炭化ケイ素
Silicon carbide▲1 trends
チタン酸ストロンチウム
Strontium titanate
窒化アルミニウム
Aluminium nitride
窒化インジウムガリウム
Indium gallium nitride
窒化ガリウム
Gallium nitride
テルル化カドミウム
Cadmium telluride
テルル化カドミウム水銀
Mercury cadmium telluride
テルル化水銀
Mercury telluride
ナローギャップ半導体
Narrow-gap semiconductor二ケイ化タングステン
Tungsten disilicide
二ケイ化モリブデン
Molybdenum disilicide