Similar to アンダーソンの法則
金属半導体接合
Metal–semiconductor junction空乏層
Depletion regionゲート絶縁膜
Gate dielectric閾値電圧
Threshold voltageシャロートレンチアイソレーション
Shallow trench isolationショットキー接合
Schottky barrierチャネル長変調
Channel length modulation銅配線
Copper interconnects熱酸化
Thermal oxidationPn接合
P–n junction表面準位
Surface states深い準位
Deep-level trapヘテロ接合 (半導体)
Heterojunctionホモ接合 (半導体)
Homojunctionメタルゲート
Metal gate半導体
Semiconductor▲2 trendsTemplate:半導体
N型半導体
N-type semiconductor正孔
Electron hole電子
ElectronP型半導体
P-type semiconductorDLTS
Deep-level transient spectroscopyHCMOS
HCMOSIXYS
IXYSLOCOS
LOCOSNMOSロジック
NMOS logicPMOSロジック
PMOS logicSRH統計