独立行政法人産業技術総合研究所(産総研)シリコンナノデバイスグループの松川貴上級主任研究員、昌原明植研究グループ長らは15日、FinFET(立体型トランジスタ)の低周波ノイズを大幅に削減する技術を発表した。米国で現地時間の15日より開催されるIEDM 2014で詳細 ...